发明名称 铟氧化物层的蚀刻剂组合物及使用它的蚀刻方法
摘要 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂,包括主氧化剂硫酸,诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂,含有铵-基材料的蚀刻抑制剂,及水,其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分,而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
申请公布号 CN1749354B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200510106764.X 申请日期 2005.08.25
申请人 三星电子株式会社;东友半导体株式会社 发明人 赵弘济;李承傭;李俊雨;李在连;千承焕;崔容硕;朴英哲;金珍洙;金圭祥;崔东旭;林官泽
分类号 C09K13/04(2006.01)I;C23F1/16(2006.01)I 主分类号 C09K13/04(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张平元;赵仁临
主权项 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂,其按蚀刻剂总重量计包含:1wt%~15wt%的硫酸;0.02wt%~5wt%的辅助氧化剂;0.01wt%~5wt%的蚀刻抑制剂;和余量的水,其中所述辅助氧化剂选自H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4和混合物A,这里所述的混合物A是由过一硫酸钾、硫酸氢钾和硫酸钾按5∶3∶2的比例混合到一起得到的,其中所述蚀刻抑制剂包括含有铵离子的化合物。
地址 韩国京畿道