| 发明名称 | 一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于半导体设计技术领域，提供了一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法。其中装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。由于利用了具有结晶硅靶材的电弧电极组，可以以较简易的制程制作出高质量的纳米晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102021514A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910190328.3 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗惠;林宗颖;廖子杰;彭佳凌;刘家麟;莫启能 |
| 分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种等离子装置，其特征在于，所述装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于0.01欧姆·厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区光明高新技术产业园区塘明大道9号 | ||