| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，包括：薄膜晶体管；形成在薄膜晶体管上的第一层间绝缘膜；形成在该第一层间绝缘膜上并电连接到源极区域及漏极区域之一方的第一电极；电连接到源极区域及漏极区域之另一方的第二电极；形成在第一层间绝缘膜、第一电极、以及第二电极上的第二层间绝缘膜；形成在第二层间绝缘膜上并电连接到第一电极及第二电极之一方的第一布线；以及形成在第二层间绝缘膜上并不电连接到第一电极及第二电极之另一方的第二布线，其中第二布线和第一电极及第二电极之另一方因形成在第二层间绝缘膜中的断开区域而不电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101110433B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710136691.8 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于：在衬底上具有：薄膜晶体管，包括：具有沟道形成区域、源极区域及漏极区域的岛状半导体膜、栅极绝缘膜、以及栅电极；第一层间绝缘膜，形成在所述薄膜晶体管上；第一电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及漏极区域之一方；第二电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及漏极区域之另一方；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜、所述第一电极、以及所述第二电极上；第一布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并电连接到所述第一电极及第二电极之一方；以及第二布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并不电连接到所述第一电极及第二电极之另一方，其中，所述第二布线和所述第一电极及第二电极之另一方因形成在所述第二层间绝缘膜中的断开区域而不电连接。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||