发明名称 |
显示装置及其制造法 |
摘要 |
本发明涉及显示装置及其制造法。根据本发明的一个方面,通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案,例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时,其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。 |
申请公布号 |
CN101452893B |
申请公布日期 |
2011.04.13 |
申请号 |
CN200810185705.X |
申请日期 |
2004.11.05 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
福地邦彦;藤井岩;中村理;前川慎志 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
韦欣华 |
主权项 |
一种制造显示装置的方法,包括以下步骤:通过液滴喷射方法在衬底之上形成栅极;在栅极之上形成栅绝缘层,在栅绝缘层之上形成第一半导体层,通过液滴喷射方法在第一半导体层之上形成通道保护层,所述通道保护层与栅极重叠;在通道保护层之上形成含有具有一种导电性类型杂质的第二半导体层;在第二半导体层之上形成第一掩模层;使用第一掩模层蚀刻第一半导体层、第二半导体层以及栅绝缘层;通过液滴喷射方法在栅极之上形成第一绝缘层;通过液滴喷射方法形成源极布线和漏极布线;在通道保护层之上蚀刻第二半导体层;在衬底整个表面之上形成钝化膜;通过液滴喷射方法在钝化膜之上形成第二绝缘层;在漏极布线之上蚀刻钝化膜;和在第二绝缘层之上形成透明导电薄膜以便连接漏极布线。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |