制膜条件设定方法、光电转换装置及其制造方法、制造装置和检查方法

摘要

本发明提供一种制膜条件设定方法、光电转换装置及其制造方法、制造装置和检查方法，能够稳定地制造具有较高转换效率的光电转换装置。基于微结晶硅层(4)中的基板(1)侧的拉曼光谱的拉曼峰值比和基板(1)相反侧的拉曼光谱的拉曼峰值比，设定光电转换装置的微结晶硅光电转换层(4)的制膜条件。

主权项

一种制膜条件设定方法，对光电转换装置的微结晶硅光电转换层的制膜条件进行设定，所述光电转换装置在基板上具有由主要含有微结晶硅的层构成的所述微结晶硅光电转换层，所述制膜条件为从压力、基板温度、反应气体中的硅烷浓度、等离子体电力、等离子体频率以及电极基板间距离中选出的至少一个条件，在条件设定用基板上，以预定的条件制膜形成由主要含有微结晶硅的层构成的微结晶硅层，至少进行一次进行如下所述的操作的条件设定工序：第一拉曼分光测定，对所述微结晶硅层中的所述条件设定用基板侧部分照射测定用光，求得第一拉曼峰值比Ic(1)/Ia(1)，所述第一拉曼峰值比Ic(1)/Ia(1)为得到的拉曼光谱中结晶硅相的峰值强度Ic(1)相对于非结晶硅相的峰值强度Ia(1)的比；和第二拉曼分光测定，对所述微结晶硅层中的所述条件设定用基板的相反侧部分照射测定用光，求得第二拉曼峰值比Ic(2)/Ia(2)，所述第二拉曼峰值比Ic(2)/Ia(2)为得到的拉曼光谱中结晶硅相的峰值强度Ic(2)相对于非结晶硅相的峰值强度Ia(2)的比，基于所述第一拉曼峰值比和第二拉曼峰值比，设定所述微结晶硅光电转换层的制膜条件。