| 发明名称 | 等离子体处理装置的清洗方法、执行该清洗方法的等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN101622692B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200880006209.1 | 申请日期 | 2008.02.18 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 吹上纪明;河本慎二;高场裕之;石桥清隆 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李伟;舒艳君 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器内对被处理体使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向所述处理容器内供给清洗气体，并产生等离子体，将所述处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向所述处理容器内供给清洗气体，并产生等离子体，将所述处理容器内维持为比所述第一压力高的第二压力而进行清洗，根据累计膜厚量及每单位时间的清洗膜厚量求出上述第一及第二清洗工序的各处理时间，利用时间管理来求出上述第一清洗工序和上述第二清洗工序之间的切换时机，和/或基于来自在所述处理容器内产生的等离子体的发光量来求出所述第一清洗工序与所述第二清洗工序之间的切换的时机。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||