发明名称 蚀刻硅基材料的方法
摘要 描述了在小的局部区域中选择性蚀刻硅衬底以在蚀刻表面中形成柱或柱体的方法。将硅衬底放在氟化氢、银盐和醇的蚀刻溶液中。醇的引入提供了更高的硅柱堆积密度。
申请公布号 CN101390198B 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN200780006328.2 申请日期 2007.01.23
申请人 奈克松有限公司 发明人 M·格林;刘峰明
分类号 H01L21/306(2006.01)I 主分类号 H01L21/306(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 林柏楠;刘金辉
主权项 蚀刻硅衬底直到形成硅柱的方法,包括使硅衬底与下列物质的水溶液接触:■氟酸、或氟盐,其含量为1.5‑10M,■能够在氟离子存在下在硅上无电沉积金属的金属盐,其含量为5‑100mM和■醇,其含量为1‑40体积%。
地址 英国牛津郡