发明名称 薄膜形成方法及成膜装置
摘要 本发明提供一种薄膜形成方法,该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言,以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下,将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
申请公布号 CN102016103A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN200980105248.1 申请日期 2009.02.10
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 本田和义;神山游马;筱川泰治;山本昌裕
分类号 C23C14/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I 主分类号 C23C14/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种薄膜形成方法,该方法是通过在真空中将从成膜源飞来的粒子堆积在衬底上而形成薄膜的方法,其中,以由在所述成膜源与所述衬底之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带限定出所述衬底的表面的成膜区域的方式在所述成膜源与所述衬底之间配置所述环形带,在这种状态下,将所述粒子堆积在所述衬底上。
地址 日本大阪府