发明名称 半导体装置的制造方法
摘要 一种半导体装置的制造方法,包括:在半导体器件上形成电极;在所述电极上形成导电凸起;把外部电线放置在所述导电凸起上;以及对所述外部电线和所述导电凸起进行激光焊接以建立电气连接。
申请公布号 CN101060090B 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN200710096115.5 申请日期 2007.04.13
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 田中壮和;高桥康平
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 朱进桂
主权项 一种半导体装置的制造方法,包括:在半导体器件上形成电极;在所述电极上形成多个导电凸起;将半导体器件安装在引线框的管芯垫上;把与引线框不同的独立电构件的一端放置在所述导电凸起上,把所述独立电构件的另一端放置在引线框的引线上;以及将激光束施加到所述独立电构件的与所述导电凸起相对应的多个位置上,使得在所述独立电构件的所述一端和所述导电凸起之间建立电气连接;以及将激光束施加到所述独立电构件的与所述引线相对应的另一位置,使得在所述独立电构件的所述另一端和所述引线之间建立电气连接,其中,所述独立电构件的所述一端、所述独立电构件的所述另一端、以及所述独立电构件的所述一端和所述另一端之间的中间部分各自具有平坦的形状。
地址 日本神奈川县