| 发明名称 | 非易失性存储器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非易失性存储器件的制造方法。该非易失性存储器件具有第一磁性材料层、隧道绝缘膜和第二磁性材料层依次层叠的层叠结构，当电阻值随磁化反转状态变化时，信息被存储在该非易失性存储器件中，该制造方法包括以下步骤：依次形成所述第一磁性材料层、所述隧道绝缘膜和所述第二磁性材料层；在所述第二磁性材料层上形成掩模层；氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的部分；以及还原所述第二磁性材料层的氧化部分。该制造方法能够提供具有高性能和长期稳定性的非易失性存储器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102013454A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN201010263544.9 | 申请日期 | 2010.08.26 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 山岸肇;庄子光治;田渕清隆 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 武玉琴;陈桂香 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件的制造方法，该非易失性存储器件具有第一磁性材料层、隧道绝缘膜和第二磁性材料层依次层叠的层叠结构，当电阻值随磁化反转状态变化时，信息被存储在该非易失性存储器件中，该制造方法包括以下步骤：依次形成所述第一磁性材料层、所述隧道绝缘膜和所述第二磁性材料层；在所述第二磁性材料层上形成掩模层；氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的部分；以及还原所述第二磁性材料层的氧化部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||