| 发明名称 | 粘接带和引线框架的层压方法 | ||
| 摘要 | 本发明总体涉及粘接带和引线框架的层压方法，并且更具体地涉及可以减小制造半导体装置的粘接带被贴附至引线框架的热层压工艺之后引线框架的翘曲的粘接带和引线框架层压方法，且其满足层压工艺所要求的所有性能，并且克服了例如来自在现有技术半导体装置制造工艺中已经被使用过的粘接带的粘接剂残留物的产生和密封树脂的泄漏的缺点。为此，根据本发明的粘接带和引线框架的层压方法的特征在于，粘接带表面的层压温度和引线框架表面的层压温度在引线框架和制造电子部件的粘接带的层压工艺中相互不同，并且优选引线框架表面的层压温度低于粘接带表面的层压温度1～200℃。 | ||
| 申请公布号 | CN102013402A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200910253243.5 | 申请日期 | 2009.12.11 |
| 申请人 | 东丽先端素材株式会社 | 发明人 | 任民镐;崔城焕;沈昌勋;文基祯;全海尚 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J171/12(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;C09J9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种粘接带和引线框架的层压方法，其特征在于所述粘接带表面的层压温度和引线框架表面的层压温度在所述引线框架和制造电子部件的所述粘接带的层压工艺中相互不同。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||