发明名称 |
不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构 |
摘要 |
不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括绝缘外壳,与绝缘外壳一端固定连接的静导电杆,静导电杆与静触头固定连接;与静导电杆所在端相对应的绝缘外壳另一端固定连接动导电杆,动导电杆与动触头固定连接,动触头与静触头之间存在空隙,其特征在于:所述静导电杆与静触头之间安放有纵向磁场线圈,而动导电杆与动触头之间无需安放任何线圈结构。通过采用不对称式的触头结构,在保证足够强的纵向磁场的条件下,使得动触头结构得以简化,其机械强度得以提高,质量得以降低,有利于触头开断速度的提高,进而可改善真空开关的开断性能。 |
申请公布号 |
CN201796810U |
申请公布日期 |
2011.04.13 |
申请号 |
CN201020239328.6 |
申请日期 |
2010.06.28 |
申请人 |
沈阳工业大学 |
发明人 |
孙鹏;邵淑文 |
分类号 |
H01H33/664(2006.01)I |
主分类号 |
H01H33/664(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 |
代理人 |
宋铁军 |
主权项 |
不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括绝缘外壳(1),与绝缘外壳(1)一端固定连接的静导电杆(4),静导电杆(4)与静触头(5)固定连接;与静导电杆(4)所在端相对应的绝缘外壳(1)另一端固定连接动导电杆(2),动导电杆(2)与动触头(3)固定连接,动触头(3)与静触头(5)之间存在空隙,其特征在于:所述静导电杆(4)与静触头(5)之间安放有纵向磁场线圈(6),而动导电杆(2)与动触头(3)之间无需安放任何线圈结构。 |
地址 |
110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号 |