发明名称 不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构
摘要 不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括绝缘外壳,与绝缘外壳一端固定连接的静导电杆,静导电杆与静触头固定连接;与静导电杆所在端相对应的绝缘外壳另一端固定连接动导电杆,动导电杆与动触头固定连接,动触头与静触头之间存在空隙,其特征在于:所述静导电杆与静触头之间安放有纵向磁场线圈,而动导电杆与动触头之间无需安放任何线圈结构。通过采用不对称式的触头结构,在保证足够强的纵向磁场的条件下,使得动触头结构得以简化,其机械强度得以提高,质量得以降低,有利于触头开断速度的提高,进而可改善真空开关的开断性能。
申请公布号 CN201796810U 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN201020239328.6 申请日期 2010.06.28
申请人 沈阳工业大学 发明人 孙鹏;邵淑文
分类号 H01H33/664(2006.01)I 主分类号 H01H33/664(2006.01)I
代理机构 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 代理人 宋铁军
主权项 不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括绝缘外壳(1),与绝缘外壳(1)一端固定连接的静导电杆(4),静导电杆(4)与静触头(5)固定连接;与静导电杆(4)所在端相对应的绝缘外壳(1)另一端固定连接动导电杆(2),动导电杆(2)与动触头(3)固定连接,动触头(3)与静触头(5)之间存在空隙,其特征在于:所述静导电杆(4)与静触头(5)之间安放有纵向磁场线圈(6),而动导电杆(2)与动触头(3)之间无需安放任何线圈结构。
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