发明名称 基于SU-8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法
摘要 本发明公开了一种基于SU-8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法,其特征是首先加工制作PDMS软模板,利用PDMS软模板制作SU-8纳米通道基底,同时利用紫外曝光显影制作包含样品池的SU-8键合层,并利用键合技术实现SU-8纳米通道基底与键合层的键合密封,最后去除PDMS及PET软基底,实现SU-8纳米流体系统自支撑结构。本发明方法操作简单,制造成本低,设备要求不高。制作结果显示了系统没有分层和堵塞,也看不出键合的界面,通道的轮廓清晰可见,展示了很好的质量。
申请公布号 CN102012633A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN201010295292.8 申请日期 2010.09.25
申请人 合肥工业大学 发明人 王旭迪;李小军;郑正龙;李鑫;金建;田扬超;付绍军
分类号 G03F7/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 何梅生
主权项 基于SU‑8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法,其特征是按如下步骤操作:a、制作PDMS软模板:清洁处理全息光栅(1),将PDMS粘稠液体(2)浇铸到全息光栅(1)上,利用热台烘烤以固化PDMS,烘烤温度为90℃,时间为60分钟,取下复制了全息光栅的微纳米结构的固化形成的PDMS印章(2);b、流体通道基底制作:首先清洁处理玻璃基底(3);其次制作PDMS牺牲层(4),将PDMS粘稠液体浇铸到玻璃基底(3)上,利用热台烘烤以固化PDMS牺牲层(4),烘烤温度为90℃,时间为60分钟;然后制作流体系统的支撑层结构,在所述牺牲层上旋涂2100型SU‑8光刻胶(5),以60℃的温度烘烤120分钟,对SU‑8光刻胶进行紫外曝光,对曝光后的SU‑8光刻胶(5)进行烘烤使得曝光的SU‑8光刻胶固化,烘烤温度为90℃,烘烤时间为20分钟;最后旋涂2025型SU‑8光刻胶(6);将步骤a制作的PDMS印章(2)与玻璃基底(3)层叠排列整齐,放在热台上以90℃预热10分钟,向PDMS印章(2)施加2Mpa的压印压力,使得PDMS印章压入经加热软化的SU‑8光刻胶(6),保持90℃及压印压力20分钟,在压印压力保持不变的情况下自然冷却,压印后的PDMS印章和玻璃基底通过SU‑8光刻胶结合在一起,透过PDMS印章对SU‑8光刻胶(6)进行紫外曝光,对曝光后的SU‑8光刻胶进行烘烤使得曝光的SU‑8光刻胶(6)固化,烘烤温度为90℃,烘烤时间为10分钟,自然冷却后可以揭下PDMS印章(2),获得流体系统基底整体结构;c、键合层制作:取经切割的PET基片(7),在所述PET基片(7)的表面旋涂2025型SU‑8光刻胶(8),透过样品池掩模结构(9)对SU‑8光刻胶进行紫外曝光,所述样品池掩模(9)由打印机打印制作;对曝光后的SU‑8光刻胶(8)进行烘烤使得曝光的SU‑8光刻胶(8)固化,烘烤温度为90℃,烘烤时间为10分钟;将PET基片(7)浸入PGMEA显影液,曝光后的SU‑8光刻胶固化不溶于显影液,样品池掩模结构下未曝光的SU‑8光刻胶溶于显影液,实现样品池的制作,其中显影时间为20秒,显影结束后使用异丙醇冲淋PET基片以去除残留PET基片上的PGMEA显影液;同时稀释2002形SU‑8光刻胶,按体积比环戊酮∶SU‑8为100∶5进行稀释,稀释后的光刻胶厚度为150nm;将稀释后厚度为150nm光刻胶旋涂于固化的SU‑8上,形成固化SU‑8的粘附层(10);d、键合:将步骤b完成制作的玻璃基底(3)层叠结构与步骤c完成制作的键合层(7)层叠排列整齐,放在热台上以75℃烘烤10分钟,向键合层(7)及玻璃基底(3)施加0.5Mpa的压印压力,使得粘附层10将PET基片(7)上SU‑8光刻胶和玻璃基底上SU‑8光刻胶粘合,保持75℃温度及压印压力20分钟,在压印压力保持不变的情况下自然冷却;对玻璃基底(3)与PET基片(7)上SU‑8的系统紫外曝光,并对曝光后的粘附层SU‑8光刻胶(10)进行后烘使得曝光的粘附层SU‑8光刻胶(10)固化,实现纳米流体系统结构的制作,所述后烘的时间为20分钟,温度由75℃上升至90℃,温度上升速度为2℃/分钟;e、去牺牲层:将流体系统的玻璃基底(3)以及PDMS牺牲层(4)去除,并去除PET基片(7),实现流体系统自支撑结构的制作。
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