发明名称 |
固态图像传感器 |
摘要 |
本发明提供了一种固态图像传感器(1),包括:成像器件晶片(2A);形成于成像器件晶片(2A)上的多个成像器件(3);隔离物(5),环绕成像器件晶片(2A)上的成像器件(3),并通过粘合剂(7)与成像器件晶片(2A)接合;透明保护构件(4),覆盖成像器件晶片(2A)上的成像器件(3),并附着在隔离物(5)上;以及多个静电放电保护器件(10A),形成于成像器件晶片(2A)上,所述静电放电保护器件(10A)位于隔离物(5)下方,每个静电放电保护器件(10A)具有扩散层(12、13)以及扩散层(12、13)之间的阱层(11),所述阱层(11)具有沟道阻断物(20)。 |
申请公布号 |
CN101663756B |
申请公布日期 |
2011.04.13 |
申请号 |
CN200780036182.6 |
申请日期 |
2007.09.27 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
高崎康介;家坂守;若生秀树 |
分类号 |
H01L27/14(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/14(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
一种固态图像传感器,包括:成像器件晶片;形成于成像器件晶片上的多个成像器件;隔离物,环绕成像器件晶片上的成像器件,并通过粘合剂与成像器件晶片接合;透明保护构件,覆盖成像器件晶片上的成像器件,并附着在隔离物上;以及多个静电放电保护器件,形成于成像器件晶片上,所述静电放电保护器件位于隔离物下方,每个静电放电保护器件具有扩散层以及扩散层之间的阱层,所述阱层具有沟道阻断物。 |
地址 |
日本国东京都 |