| 发明名称 | 顺序冲切方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了冲切结构(500)的方法，该结构(500)包括键合到第二晶片(300)的第一晶片(200)，该第一晶片(200)具有削边。该方法包括在包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第一深度(Pd1)以及距离该第一晶片(101)的边缘的第一宽度(ld1)上执行的第一冲切步骤(S4)。也在至少包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第二深度(Pd2)以及小于第一宽度(ld1)的第二宽度(ld2)上执行第二冲切步骤(S5)。 | ||
| 申请公布号 | CN102017092A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980115233.3 | 申请日期 | 2009.07.31 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | M·布鲁卡特;M·米热特;S·莫利纳里;E·内雷 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;孙向民 |
| 主权项 | 一种冲切结构(100)的冲切方法，该结构(100)包括键合到第二晶片(102)的第一晶片(101)，该第一晶片(101)具有削边(104、105)；其特征在于：该方法包括第一冲切步骤，其在包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第一深度(Pd1)上执行，所述第一冲切步骤也在距离该第一晶片(101)的边缘的第一预定宽度(ld1)处执行；以及至少一个第二冲切步骤，其在至少包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第二深度(Pd2)上执行，所述第二冲切步骤也在小于该第一宽度(ld1)的第二宽度(ld2)上执行。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||