发明名称 纳米线及其制备方法
摘要 本发明涉及制备片段化纳米线和具有该片段化纳米线的构件。为了制备纳米线结构元件,优选使用模板基法,在该方法中在纳米孔中进行电化学沉积。由此在模板膜中产生许多纳米线。在纳米线电化学沉积过程中,进行具有由阴极沉积脉冲和阳极反脉冲组成的交替次序的逆变脉冲。由此可以制备片段化的纳米线。
申请公布号 CN102016128A 申请公布日期 2011.04.13
申请号 CN200980116027.4 申请日期 2009.03.12
申请人 GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司 发明人 T·科尔内留斯;W·恩辛格;R·纽曼;M·劳贝尔
分类号 C25D1/08(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I;B01J19/00(2006.01)I 主分类号 C25D1/08(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 邓毅
主权项 制备纳米线(34)的方法,包括以下步骤:提供具有许多纳米孔(32)的模板(12),所述纳米孔从第一侧面(12a)直至处于相对侧的第二侧面(12b)贯穿模板(12),以及在模板(12)的第一侧面(12a)上的阴极层(26a),在纳米孔(32)中借助电化学沉积培养纳米线(34),其中,纳米线(34)在纳米孔(32)内生长到阴极层(26a)上,其中,电化学沉积以脉冲方式进行,采用阴极沉积脉冲(212)与在阴极沉积脉冲(212)之间的时间间隔(214)随时间交替的次序,其中,在阴极沉积脉冲(212)期间,在纳米孔(32)中纳米线(34)分别生长一个主片段(34c),该主片段具有取决于各阴极沉积脉冲(212)持续时间的长度和由纳米孔(32)的直径限定的第一直径,其中,通过阴极沉积脉冲(212)之间的时间间隔(214)分别在纳米孔(32)中在纳米线(34)上产生具有第二直径的连接片段(34d),其中,第二直径小于第一直径,使得沿纳米线(34)的长度产生具有较粗的主片段(34c)与较细的连接片段(34d)交替的次序的片段化的纳米线(34),溶解并去除模板(12)以露出片段化的纳米线(34)。
地址 德国达姆施塔特