溅射用氧化物烧结体靶及其制造方法

摘要

本发明提供一种溅射用氧化物烧结体靶，包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)以及不可避免的杂质，其特征在于，各元素的组成比为式：InxGayZnzOa{式中，0.2≤x/(x+y)≤0.8，0.1≤z/(x+y+z)≤0.5，a＝(3/2)x+(3/2)y+z}，该氧化物烧结体靶的90μm×90μm面积范围内存在的平均粒径3μm以上的ZnGa2O4的尖晶石相的个数为10个以下。本发明的目的在于提供IGZO靶，其中在包含In、Ga、Zn、O以及不可避免的杂质的溅射用氧化物烧结体靶中，改善了烧结体靶的组织，将作为结瘤产生源的相的形成抑制为最小限度，并且降低体电阻值，高密度，可以抑制异常放电，并且可以进行DC溅射。

主权项

一种溅射用氧化物烧结体靶，其包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)以及不可避免的杂质，其特征在于，各元素的组成比为式：InxGayZnzOa{式中，0.2≤x/(x+y)≤0.8，0.1≤z/(x+y+z)≤0.5，a＝(3/2)x+(3/2)y+z}，该氧化物烧结体靶的90μm×90μm面积范围内存在的平均粒径3μm以上的ZnGa2O4的尖晶石相的个数为10个以下。