形成双极晶体管的浅基区的方法

摘要

所公开的主题提供了一种形成双极晶体管的方法，包括形成双极晶体管的浅基区的方法。该方法包括在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方淀积第一绝缘层。该第一层形成在衬底上方。该方法还包括基于目标掺杂剂分布来更改第一氧化物层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。该掺杂剂以基于所更改的该第一绝缘层厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。

主权项

一种形成双极晶体管的方法，包含以下步骤：在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方形成第一绝缘层，所述第一层形成在衬底上方；基于目标掺杂剂分布来更改所述第一绝缘层的厚度；以及在所述第一层的一部分中注入第二类型的掺杂剂，掺杂剂的第二类型与掺杂剂的第一类型相反，所述第二类型的掺杂剂以基于所更改的所述第一绝缘层厚度和所述目标掺杂剂分布而选择的能量被注入，其中形成第一绝缘层的步骤包含以下步骤：通过热工艺形成第一氧化物层并且生长所述第一氧化物层的第一部分使得所述第一氧化物层的所述第一部分的厚度增大，而所述第一氧化物层的第二部分的厚度保持基本相同。