| 发明名称 | 具有肖特基势垒二极管的集成电路结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有肖特基势垒二极管的集成电路结构，包括形成于n型阱区上的金属硅化物层，形成于n型阱区上并包围所述金属硅化物层的p型保护环。所述金属硅化物层的外层部分延伸到与所述保护环的内缘部分重叠，一肖特基势垒形成于所述金属硅化物层的内层部分与阱区的交界处。导电触点与上述金属硅化物层的内层部分和外层部分接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102013426A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200910246945.0 | 申请日期 | 2009.12.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 叶秉君;叶德强;柳瑞兴;刘醇明 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中的第一传导型阱区；形成于第一阱区之上并具有内层部分和外层部分的金属硅化物层；形成于所述阱区之上并包围金属硅化物层的具有和第一传导型相反的第二传导型的保护环，其中，金属硅化物层的外层部分延伸到与保护环的内缘部分重叠，而肖特基势垒形成于金属硅化物层的内层部分与所述阱区的交界处；与所述金属硅化物层的内层部分和外层部分接触的导电触点。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||