发明名称 |
Halbleiterbauelement mit dielektrischem Schichtstapel |
摘要 |
Ein Halbleiterbauelement weist eine Halbleiterkörperzone, eine erste elektrisch leitfähige Schicht benachbart zu der Halbleiterkörperzone, eine erste dielektrische Schicht mit ersten dielektrischen Eigenschaften und eine zweite dielektrische Schicht mit zweiten dielektrischen Eigenschaften auf. Dabei unterscheiden sich die ersten dielektrischen Eigenschaften von den zweiten dielektrischen Eigenschaften. Die erste dielektrische Schicht und die zweite dielektrische Schicht sind zwischen der Halbleiterkörperzone und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht angeordnet. Eine zweite elektrisch leitfähige Schicht ist zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht angebracht. Zwischen der ersten elektrisch leitfähigen Schicht und der Halbleiterkörperzone 10 ist ein Spannungsteiler geschaltet. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht ist nur mit diesem Spannungsteiler elektrisch leitend verbunden.
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申请公布号 |
DE102009038709(A1) |
申请公布日期 |
2011.04.07 |
申请号 |
DE200910038709 |
申请日期 |
2009.08.25 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
WERNER, WOLFGANG |
分类号 |
H01L23/58;H01L21/762;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L23/58 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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