| 发明名称 | 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单片集成E/D GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽，分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。利用本发明，采用改良的E/DMHEMT工艺技术，制备出性能良好的MHEMT 9阶和15阶环型振荡器，对E/D MHEMT制备工艺技术进行了验证，确保了内部器件特性的测量更精确。 | ||
| 申请公布号 | CN101540297B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200810102205.5 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黎明;张海英;徐静波;付晓君 |
| 分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，该方法包括：对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理；对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽，分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，采用PECVD生长一层SiN介质，然后进行光刻二次布线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||