太阳能电池用的逆掺杂

摘要

提供了逆掺杂太阳能电池(特别是叉背接触(IBC)太阳能电池)的方法。在太阳能电池的一表面上，一些部分需要被N掺杂，而其他部分则是被P掺杂。传统上，会需要多道微影和掺杂的步骤以达成所希望的结构。另一方面，可经由进行一个导电率的一整体掺杂和相对的导电率的一罩幕图案化逆掺杂制程而省略一道微影步骤。在罩幕图案化布植中，被掺杂的区域会接收充分的掺杂量以完全逆转整体掺杂的影响，并达成相对于整体掺杂的一导电率。在另一实施例中，逆掺杂是以直接图案化的技术所进行，可省去多余的微影步骤。在本发明中提供多种直接逆掺杂的制程方法。

主权项

一种于一太阳能电池表面产生具有相对导电性的区域的方法，包括：使用一半导体基底；于该基底的一表面进行一第一掺质的一整体掺杂，而使该表面包括一均匀的掺杂区；于该表面的一部分进行一第二掺质的一图案化掺杂，其中该部分小于该表面的全部，该第一掺质和该第二掺质包括相对导电性，而该部分经过该图案化掺杂以维持该第二掺质的导电性；以及在该图案化掺杂之前，在该基底的前方配置一罩幕。