发明名称 一种高功率发光二极管组件
摘要 本实用新型涉及一种高功率发光二极管组件。该高功率发光二极管组件包括在一金属载体板面设有至少两个发光单元,各发光单元由至少一芯片及至少一种覆盖于芯片外的封装材所构成,由各封装材个别对各发光单元构成预期的光学机制。在各发光单元所属的作用下,使各发光单元产生最佳的亮度表现效果;尤其,在封装材及外界空气的不同介质区隔作用下,可以有效避免不同发光单元的芯片互相吸光,使整个高功率发光二极管组件获得较佳的光电转换效应。
申请公布号 CN201788974U 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN201020286974.8 申请日期 2010.08.10
申请人 普照光电科技股份有限公司 发明人 陈元杰
分类号 H01L25/13(2006.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L25/13(2006.01)I
代理机构 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人 王德桢
主权项 一种高功率发光二极管组件,包括:一金属载体;至少两个发光单元,设于该金属载体板面上方,各发光单元由至少一芯片及至少一种覆盖于芯片外的封装材所构成;以及由各封装材个别对各发光单元构成预期的光学机制。
地址 中国台湾台北县深坑乡北深路三段155巷1号