发明名称 硅酸铋闪烁晶体的定形提拉生长方法
摘要 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,简称BSO)闪烁晶体的方法,属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具,利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为:Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料,放入带有特定形状模具的坩埚中,装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃,恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉,生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体,减少晶体生长周期,同时减少了后期的晶体加工工序,提高晶体利用率,有效节约生产成本。
申请公布号 CN102002754A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN201010608426.7 申请日期 2010.12.28
申请人 上海应用技术学院 发明人 徐家跃;申慧;金敏;张彦;何庆波;江国健;王占勇
分类号 C30B15/24(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I 主分类号 C30B15/24(2006.01)I
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人 吴宝根
主权项 1.一种板状晶体定形提拉炉,包括炉壁、提拉机构、发热体、坩埚,其特征在于还包括用于控制晶体生长形状的定形模具,定形模具置于坩埚中;所述的用于控制晶体生长形状的定形模具,包括模具片和支撑架,支撑架和模具片为一体,成“L”形,使用时两个定形模具左右水平相对放置,形成形状如“<img file="2010106084267100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="13" he="16" />”的模具组,在两个模具的模具片中间形成狭缝。
地址 200235 上海市徐汇区漕宝路120号