一种表面等离子体共振芯片的制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种表面等离子体共振芯片的制备方法，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-1～10-3mbr，以铬为靶材，靶基距为5～9cm，在所述玻璃衬底上溅射铬薄膜；步骤c)以金为靶材、靶基距为5～9cm，在真空度为10-1～10-3mbr的条件下，在所述步骤b)得到的产物上溅射金薄膜。本发明采用真空溅射原理，并采用5～9cm的靶基距，制备得到的金属薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明，本发明制备的金属薄膜厚度均匀，为50nm左右。

主权项

一种表面等离子体共振芯片的制备方法，其特征在于，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10‑1～10‑3mbr，以铬为靶材，靶基距为5～9cm，在所述玻璃衬底上溅射铬薄膜；步骤c)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10‑1～10‑3mbr，以金为靶材、靶基距为5～9cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射金薄膜。