| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。 | ||
| 申请公布号 | CN102007586A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200980113810.5 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫入秀和;大力浩二;惠木勇司;神保安弘;伊佐敏行 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；将所述栅极绝缘层暴露于包含氮的气体，以使所述栅极绝缘层中的氧浓度小于或等于5×1018cm‑3，并且使所述栅极绝缘层中的氮浓度大于或等于1×1020cm‑3且小于或等于1×1021cm‑3；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源区及漏区，其中所述源区及漏区包含半导体及对所述半导体赋予一导电类型的杂质；以及在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||