发明名称 一种OTP EPROM读取电路
摘要 一种OTP EPROM读取电路,包括第一~五场效应管,二输入与非们,第一、二非门,D触发器及OTP cell单元,第一场效应管源极接VDD,栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接READ_EN信号,漏极接第二、三场效应管源极,第三场效应管漏极与第四、五场效应管源极连接后再接Data信号,第四场效应管源极接VDD,第五场效应管漏极接地,二输入与非门一输入为READ_EN信号,另一输入为Data信号,二输入与非门输出接第三、四场效应管栅极,DATA信号接OTP cell,第一非门输入端接第一、二场效应管漏极及第三场效应管源极,第一非门输出接第二非门输入端,第二非门输出端接D触发器D端,D触发器的clk端接CLK信号,输出Q端接OUT信号。本发明可同时保证OTP cell的寿命和读取模式下的抗干扰能力。
申请公布号 CN102005249A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN201010586634.1 申请日期 2010.12.14
申请人 苏州华芯微电子股份有限公司 发明人 江猛;张姗;谢卫国;杜坦
分类号 G11C17/08(2006.01)I 主分类号 G11C17/08(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人 孙东风
主权项 一种OTP EPROM读取电路,其特征在于,所述读取电路包括第一、二、三、四、五场效应管,二输入与非们,第一、二非门,D触发器以及OTP cell单元,所述第一场效应管源极接VDD,第一场效应管栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接READ_EN信号,第一场效应管漏极与第二场效应管源极、第三场效应管源极连接,第三场效应管漏极与第五场效应管源极、第四场效应管漏极连接后再接入Data信号,第四场效应管源极接VDD,第五场效应管漏极接地,所述二输入与非门一个输入端为READ_EN信号,另一输入为Data信号,二输入与非门输出接第三、第四场效应管的栅极,DATA信号接OTP cell单元,所述第一非门输入端接第一场效应管漏极、第二场效应管源极及第三场效应管源极,第一非门输出接第二非门输入端,第二非门输出端接D触发器的D端,D触发器的clk端接CLK信号,D触发器的输出Q端接OUT信号。
地址 215011 江苏省苏州市高新区向阳路198号