制造半导体器件的方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种修复受损的低k介电材料的方法。常用于生产半导体器件的基于等离子体的方法通常会损坏含碳的低k介电材料。受损的介电材料暴露在水分中时可能形成硅醇基团。在优选的实施方案中，两步法将硅醇转化为合适的有机基团。第一步包括用卤化剂将硅醇转化为卤化硅。第二步包括利用衍生剂，优选利用有机金属化合物用合适的有机基团取代卤化物。在一个优选的实施方案中，卤化剂包括亚硫酰二氯，有机金属化合物包括烷基锂，优选甲基锂。在另一个优选的实施方案中，有机金属化合物包括格氏试剂。本申请公开的实施方案有利于生产商通过选择性加入有机基团对低k介电材料的密度、极化和离子化性能进行设计。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其包括：在基板上形成有源器件；在有源器件上沉积含碳的低k绝缘体；将绝缘体暴露在等离子体中，其中由等离子体相关的损坏在绝缘体中形成硅醇；用卤化剂与绝缘体中的硅醇反应，形成卤化硅；和使用衍生剂用卤化硅进行衍生反应，所述的衍生剂选自由以下化合物组成的组：有机金属化合物、甲硅烷基化剂和对应于通式RARBC＝CHRC的化合物，其中RA‑C独立地为氢或烷基。