| 发明名称 | 半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造具有多晶硅层(5)的半导体装置的方法，该方法包括：在多晶硅层(5)上形成掩模层(7)的步骤；形成设置在掩模层(7)的侧面上并覆盖部分多晶硅层(6)的侧壁(8)的步骤；通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模向多晶硅层(5)中掺入杂质(52)的步骤；以及通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模蚀刻多晶硅层(5，6)的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101223629B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200680026370.6 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 日产自动车株式会社 | 发明人 | 山上滋春;星正胜;林哲也;田中秀明;下井田良雄 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有多晶硅层，所述方法包括：在所述多晶硅层上形成掩模层；形成设置在所述掩模层的侧面处并覆盖部分所述多晶硅层的侧壁；通过使用所述掩模层和所述侧壁其中至少之一作为掩模向所述多晶硅层中掺入杂质；以及通过使用所述掩模层和所述侧壁其中至少之一作为掩模蚀刻所述多晶硅层，其中，在掺入所述杂质之后或者在蚀刻所述多晶硅层之后，通过蚀刻来去除所述侧壁。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||