半导体元件

摘要

本发明涉及一种半导体元件，至少包括：一基材具有一上表面，该基材由具有一第一晶格常数的一第一半导体材料所组成；一第一区至少包括形成在该基材中的一第一凹陷，且该第一凹陷填设有一第二半导体材料，该第二半导体材料具有一第二晶格常数；一第二区至少包括形成在该基材中的一第二凹陷，且该第二凹陷填设有该第二半导体材料；以及一隔离区，设于该第一区与该第二区之间，该隔离区具有一第一绝缘层与一第二绝缘层，该第一绝缘层延伸进入该基材中，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上且延伸在该基材的上表面上。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，至少包括：一基材，具有一上表面，该基材由具有一第一晶格常数的一第一半导体材料所组成；一第一区，至少包括形成在该基材中的一第一凹陷，且该第一凹陷填设有一第二半导体材料，该第二半导体材料具有一第二晶格常数，其中该第一区为一第一金属氧化物半导体晶体管的一源极/漏极区；一第二区，至少包括形成在该基材中的一第二凹陷，且该第二凹陷填设有该第二半导体材料，其中该第二区为一第二金属氧化物半导体晶体管的一源极/漏极区；以及一隔离区，设于该第一区与该第二区之间，该隔离区具有一第一绝缘层与一第二绝缘层，该第一绝缘层延伸进入该基材中，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上且延伸在该基材的上表面上。