| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制造方法，此方法包括在基板形成栅极、源极以及漏极。另外，在栅极以及源极与漏极之间形成氧化物半导体材料，其中形成氧化物半导体材料的方法包括进行沉积程序，且在结束所述沉积程序之前，于沉积程序中通入氮气以于氧化物半导体材料上方形成氧化物半导体氮化物。 | ||
| 申请公布号 | CN101997037A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN201010293471.8 | 申请日期 | 2010.09.20 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 刘柏村;邹一德;邓立峰;李富海;谢汉萍;林威廷;洪铭钦;萧仲钦;张钧杰;陈伯纶 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭蔚 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一栅极；一源极以及一漏极；一氧化物半导体材料，位于该栅极以及该源极与漏极之间；以及一氧化物半导体氮化物，实质上位于该氧化物半导体材料上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 | ||