| 发明名称 | 形成金属互连层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成金属互连层的方法，包括：在反应腔中执行在半导体衬底的绝缘层上形成沟槽和连接孔，并在沟槽的底部和侧壁上、连接孔的底部和侧壁上形成叠层阻挡膜；在所述叠层阻挡膜的表面形成置换用金属层；从所述反应腔内取出后将所述置换用金属层置换为金属铜，在所述金属铜的表面形成铜电镀层。采用该方法能够避免铜种子层被氧化或被环境污染的问题，确保铜电镀层的质量，提高器件的可靠性，从而提高良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101996924A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056256.3 | 申请日期 | 2009.08.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相;卢炯平 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种形成金属互连层的方法，包括：在反应腔中执行在半导体衬底的绝缘层上形成沟槽和连接孔，并在沟槽的底部和侧壁上、连接孔的底部和侧壁上形成叠层阻挡膜；在所述叠层阻挡膜的表面形成置换用金属层；从所述反应腔内取出后将所述置换用金属层置换为金属铜，在所述金属铜的表面形成铜电镀层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||