发明名称 晶体管结构及其制造方法
摘要 一种晶体管结构,包括一基板、一第一阱区、一源极区及一反熔丝结构。第一阱区具有第一掺杂物并位于基板内。源极区位于第一阱区中,包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区,重掺杂源极区位于轻掺杂源极区内。重掺杂源极区的边缘与轻掺杂源极区的边缘基本上保持一距离。反熔丝结构设置于源极区上。
申请公布号 CN101154683B 申请公布日期 2011.03.30
申请号 CN200610142189.3 申请日期 2006.09.29
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 林正基;连士进;叶清本
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种晶体管结构,包括:基板;具有第一掺杂物的第一阱区,位于该基板内;源极区,位于该第一阱区中,该源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区,该重掺杂源极区位于该轻掺杂源极区内,该重掺杂源极区的边缘与该轻掺杂源极区的边缘在平行于基板的主表面的方向保持一第一距离;以及反熔丝结构,设置于该源极区上,其中,该重掺杂源极区至少设置于该反熔丝结构所设位置的两侧。
地址 中国台湾新竹科学工业园区