一种非对称多量子阱结构的蓝光LED及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种非对称多量子阱结构的蓝光LED及其制作方法，所述蓝光LED包括：蓝宝石衬底层、未掺杂的GaN层、n型GaN层、有源区及p型GaN层，所述有源区包括一个或连续两个窄能隙量子阱结构区、及在所述窄能隙量子阱结构区上连续生长的至少五个蓝光量子阱结构区，所述制作方法为在所述蓝宝石衬底层上依次生长所述未掺杂的GaN层、所述n型GaN层、所述有源区及所述p型GaN层。本发明提供的非对称多量子阱结构的蓝光LED及其制作方法，能够在不增加生长工艺的复杂性和MO源种类的情况下有效提高蓝光LED的亮度及寿命。

主权项

一种非对称多量子阱结构的蓝光LED，包括蓝宝石衬底层、未掺杂的GaN层、n型GaN层、有源区及p型GaN层，上述五者依次排列，其特征在于：所述有源区包括一个或连续两个窄能隙量子阱结构区、及在所述窄能隙量子阱结构区上连续生长的至少五个蓝光量子阱结构区；所述窄能隙量子阱结构区先生长窄能隙量子阱势垒层，再生长窄能隙量子阱势阱层；所述蓝光量子阱结构区先生长蓝光量子阱势阱层，再生长蓝光量子阱势垒层；有源区的生长以势垒层开始，并以势垒层结束；相邻两个蓝光量子阱结构区共用所述蓝光量子阱势垒层，相邻的窄能隙量子阱结构区及蓝光量子阱结构区共用所述窄能隙量子阱势垒层，且在所述有源区包括连续两个宅能隙量子阱结构区的情况下，相邻两个窄能隙量子阱结构区共用所述窄能隙量子阱势垒层；其中，所述窄能隙量子阱结构区的势垒层厚度薄于8nm，以增加电子的隧穿几率，所述窄能隙量子阱结构区的势阱层厚度厚于3nm，以增加窄能隙量子阱储存电子的能力，所述蓝光量子阱的势阱层薄于2nm，以增加电子空穴辐射复合的几率；所述每一个窄能隙量子阱结构区的势阱层的铟组份介于25％‑35％之间，所述每一个蓝光量子阱结构区的势阱层的铟组份介于10％‑15％之间。