一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法

摘要

本发明公开了一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD低温淀积一层二氧化硅覆盖在所述薄锗硅层上；进行高温快速热退火，使所述薄锗硅层完全弛豫；去掉氧化层，得到薄的表面粗糙度低的高质量高锗含量的弛豫锗硅材料层。本发明在半导体硅衬底上通过综合采用低温减压外延，低温淀积氧化层，快速热退火等工艺方法制备出一层高质量高锗含量表面粗糙度低的弛豫薄锗硅(SiGe)虚拟衬底，应用于未来CMOS工艺中各种沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。

主权项

一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD在所述薄锗硅层上低温淀积一层二氧化硅，用以保持薄锗硅层表面平坦性；进行高温快速热退火，使所述薄锗硅层完全弛豫；去掉氧化层，得到薄的表面粗糙度低的高质量高锗含量的弛豫锗硅材料层。