| 发明名称 | 多层互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种多层互连结构及其形成方法，其中多层互连结构的形成方法包括：提供带有金属布线层的半导体衬底；在金属布线层上形成阻挡层、层间绝缘层、第一保护层和第二保护层；在阻挡层、层间绝缘层、第一保护层和第二保护层内形成暴露金属布线层的双镶嵌空间；形成填充所述双镶嵌空间且位于第二保护层表面的金属层；去除部分金属层和1/4至1/2厚度的第二保护层，形成金属插塞。本发明能够避免层间绝缘层在后续的工艺中被污染，在层间绝缘层内形成缺陷，使得器件漏电失效。 | ||
| 申请公布号 | CN101996927A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056519.0 | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王琪 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种多层互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供带有金属布线层的半导体衬底；在金属布线层上形成阻挡层、层间绝缘层、第一保护层和第二保护层；在阻挡层、层间绝缘层、第一保护层和第二保护层内形成暴露金属布线层的双镶嵌空间；形成填充所述双镶嵌空间且位于第二保护层表面的金属层；去除部分金属层和1/4至1/2厚度的第二保护层，形成金属插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||