发明名称 |
再分布结构的形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种再分布结构的形成方法,包括:在晶圆上形成焊盘;在焊盘及晶圆表面形成第一绝缘层,第一绝缘层的开口与焊盘对应,并对焊盘表面的氧化膜进行去除处理;在第一绝缘层及焊盘的表面形成种子层,种子层延伸至再分布凸点的位置,并对所述种子层进行烘焙;在所述种子层表面形成电镀层;在电镀层表面及第一绝缘层表面形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层的开口位置形成凸点下金属层,在所述凸点下金属层上形成再分布凸点。采用该方法能够提高电镀层表面平整度。 |
申请公布号 |
CN101996900A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200910194574.6 |
申请日期 |
2009.08.25 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;芯电半导体(上海)有限公司 |
发明人 |
梅娜;佟大明;章国伟 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
牛峥;王丽琴 |
主权项 |
一种再分布结构的形成方法,包括:在晶圆上形成焊盘;在焊盘及晶圆表面形成第一绝缘层,第一绝缘层的开口与焊盘对应,并对焊盘表面的氧化膜进行去除处理;在第一绝缘层及焊盘的表面形成种子层,种子层延伸至再分布凸点的位置,并对所述种子层进行烘焙;在所述种子层表面形成电镀层;在电镀层表面及第一绝缘层表面形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层的开口位置形成凸点下金属层,在所述凸点下金属层上形成再分布凸点。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |