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Ein Verbindungshalbleitersubstrat, das die Erzeugung eines Risses oder einer Wölbung inhibiert und für eine Vorrichtung mit hoher Durchschlagsspannung vom im Normalzustand abgeschalteten Typ bevorzugt ist, das so angeordnet ist, dass eine Vielschichtpufferschicht 2, worin AlGaN-Einzelkristallschichten (0,6 ≦̸ x ≦̸ 1,0) 21, umfassend Kohlenstoff in einer Menge von 1 x 10Atomen/cmbis 1 x 10Atomen/cm, und AlGaN-Einzelkristallschichten (0,1 ≦̸ y ≦̸ 0,5) 22, umfassend Kohlenstoff in einer Menge von 1 x 10Atomen/cmbis 1 x 10Atomen/cmalternierend und wiederholt in dieser Reihenfolge angeordnet sind. Eine Nitridaktivschicht 3, die mit einer Elektronentransportschicht 31 mit einer Kohlenstoffkonzentration von 5 x 10Atomen/cmoder weniger versehen ist, und eine Elektronenzuführschicht 32 sind auf einem Si-Einzelkristallsubstrat 1 in dieser Reihenfolge niedergeschlagen. Die Kohlenstoffkonzentration der AlGaN-Einzelkristallschichten 21 und die der AlGaN-Einzelkristallschichten 22 verminn Richtung zu der Seite der Aktivschicht 3. Auf diese Weise wird das Verbindungshalbleitersubstrat erzeugt.
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