Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils und nach diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauteil

摘要

Für ein elektronisches Bauteil mit einem auf einem Halbleiter-Substrat integrierten Schaltkreis und der wärmeleitenden Verbindung des Substrats durch Verlöten mit einem als Wärmesenke dienenden Träger wird vorgeschlagen, in der gebräuchlichen Rückseitenmetallisierung des Substrats eine erste, dickere Au-Schicht 23, nach dieser eine Barrierenschicht 24 und als letzte Schicht eine dünnere, zweite Au-Schicht 25 abzuscheiden, wobei das Material der Barrierenschicht so gewählt ist, dass die Barrierenschicht beim Lötvorgang eine Diffusionsbarriere gegen das Vordringen von Sn bzw. AuSn aus einer flüssigen Au-Sn-Phase im Bereich der zweiten Au-Schicht in die erste Au-Schicht 23 verhindert.