In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体的制备方法

摘要

In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体的制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。

主权项

In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于制备In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体的方法按以下步骤实现：一、称取Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.85～1.38∶1，Fe2O3的掺杂浓度为0.073～0.077％(质量)，CuO的掺杂浓度为0.018～0.022％(质量)，In2O3的掺杂浓度为0.5～1.5mol％；二、将称取的Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3混合均匀后放入铂坩埚，然后置于650～750℃的环境中烧结1～3h，再升温至1000～1050℃烧结1～3h，冷却至室温；三、采用提拉法生长晶体：经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序，得多畴晶体；四、将多畴晶体放入极化炉中，室温下以450～550℃/h的速度升温至1150～1250℃，在极化电流密度为4～6mA/cm2的条件下极化1～3h，然后以70～90℃/h的速度退火，降低温度至室温，得单畴晶体；五、对单畴晶体进行氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。