发明名称 |
晶体管与其制法 |
摘要 |
本发明提供一种晶体管与其制法。此晶体管包括:一栅极电极,设置于一基材之上;以及至少一复合应力结构,设置于该栅极电极下方的沟道旁,其中复合应力结构包括:一第一应力区域,位于基材中;以及一第二应力区域,设于第一应力区域之上,且至少一部分的第二应力区域设置于基材中。本发明提供的晶体管具有复合应力结构,可提供晶体管的沟道所需的压缩或伸张应力,增加了晶体管的电性表现。 |
申请公布号 |
CN101989616A |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN201010243664.2 |
申请日期 |
2010.07.30 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
郑振辉;宋学昌;陈冠宇;林宪信;冯家馨 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;陈晨 |
主权项 |
一种晶体管,包括:一栅极电极,设置于一基材之上;以及至少一复合应力结构,设置该栅极电极下方的一沟道旁,其中该复合应力结构包括:一第一应力区域,位于该基材中;以及一第二应力区域,设置于该第一应力区域之上,且至少一部分的第二应力区域设置于该基材中。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |