光电转换装置的制造方法

摘要

本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法，该方法包括以下步骤：在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔；在孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢；通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构；并且形成覆盖多层互连结构的保护膜，其中，在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。

主权项

一种光电转换装置的制造方法，该光电转换装置具有光电转换元件、用于从所述光电转换元件读出信号的晶体管和设置在半导体基板上的多层互连结构，该方法包括以下步骤：在所述光电转换元件和所述晶体管上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜的与所述晶体管的电极对应的区域中形成孔；在所述孔中埋入导电物质；在所述第一层间绝缘膜和所述导电物质的全部表面上形成氢供给膜，该氢供给膜的折射率不同于所述第一层间绝缘膜的折射率；在第一温度下进行热处理以从所述氢供给膜向所述半导体基板供给氢；通过蚀刻去除所述氢供给膜的与所述光电转换元件对应的区域；通过使用Cu作为用于形成所述多层互连结构的布线材料来形成所述多层互连结构；形成其折射率与形成所述多层互连结构的第二层间绝缘膜的折射率不同的、用于抑制作为布线材料的Cu的扩散的扩散抑制膜，以使得该扩散抑制膜覆盖形成所述多层互连结构的布线和所述第二层间绝缘膜的全部表面；通过蚀刻去除所述扩散抑制膜的与所述光电转换元件对应的区域；以及形成覆盖所述多层互连结构的保护膜，其中，按照以上次序进行以上步骤，在不高于所述第一温度的温度下进行形成所述多层互连结构的步骤和形成所述保护膜的步骤，以便不引起布线材料Cu的应力迁移，以及所述扩散抑制膜还用作抵抗对所述第二层间绝缘膜的蚀刻的蚀刻阻止膜，并且，与所述氢供给膜的蚀刻速度相比，在蚀刻所述第二层间绝缘膜的蚀刻条件下，所述扩散抑制膜具有更高的蚀刻速度。