一种衬绝缘层高密度离子沉积方法

摘要

本发明提供了衬绝缘层高密度离子沉积方法，绝缘层高密度离子沉积是在一密封的反应腔内，应腔顶部与侧边接有生成绝缘层的反应介质和引导介质的输送管；衬绝缘层高密度离子沉积是利用射频溅射沉积绝缘层，射频溅射包括对反应介质的分解功率和用于引导绝缘物生长的引导介质的溅射功率两参数，引导介质的溅射功率为2.5～6.5千瓦，整个衬绝缘层沉积时间为3～15秒。同时辅以降低反应介质送入反应腔的速率和量来降低绝缘物的生成速率和小分子的氢气作为主引导介质提高绝缘物生成的均匀性。本发明的沉积方法可有效消除目前衬绝缘层存在的凹口现象。

主权项

一种衬绝缘层高密度离子沉积方法，所述绝缘层高密度离子沉积是在一密封的反应腔内，所述反应腔顶部与侧边接有生成绝缘层的反应介质和引导介质的输送管；所述衬绝缘层高密度离子沉积是利用射频溅射沉积绝缘层，所述射频溅射包括对反应介质的分解功率和用于引导绝缘物生长的引导介质的溅射功率两参数；所述反应介质包括硅烷和氧气，所述引导介质包括氢气和氦气，其特征在于，所述引导介质以氢气为主，所述引导介质的溅射功率为2.5～6.5千瓦；只打开所述反应腔侧边的硅烷输送管，控制所述硅烷的输送速率为17标况毫升每分，所述反应腔侧边的氧气输送管输送氧气的速率为39～75标况毫升每分，所述整个衬绝缘层沉积时间为3～15秒。