| 发明名称 | 减少浅沟道隔离槽的边角缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减少浅沟道隔离槽的边角缺陷的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层，在进行曝光显影工艺后，以光刻胶层为掩膜对所述氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟槽；在形成所述浅沟槽后，使用低沉积速率的化学气相沉积法沉积绝缘层；通过化学机械抛光工艺过程清除所述氮化硅层上的绝缘层；然后再去除所述氮化硅层和垫氧化层，形成浅沟道隔离槽结构。通过使用上述的方法，可有效地减少直浅沟道隔离槽的边角缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101989564A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910055761.6 | 申请日期 | 2009.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨涛;李健 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种减少浅沟道隔离槽的边角缺陷的方法，其特征在于，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层，在进行曝光显影工艺后，以光刻胶层为掩膜对所述氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟槽；在形成所述浅沟槽后，使用低沉积速率的化学气相沉积法沉积绝缘层；通过化学机械抛光工艺过程清除所述氮化硅层上的绝缘层；然后再去除所述氮化硅层和垫氧化层，形成浅沟道隔离槽结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||