| 发明名称 | 半导体器件的测试结构和测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的测试结构和测试方法，该测试结构包括：位于晶片测试区的半导体基底；测试图形，位于所述半导体基底上，所述测试图形包括窄测试导线、间隙带和宽测试导线，所述宽测试导线的轮廓为矩形，且所述间隙带沿所述矩形的长边方向贯通于所述矩形的两条短边之间，所述窄测试导线位于所述间隙带内，且沿所述矩形的短边向矩形中心方向，测试图形的厚度递减，利用该测试结构可以更精确的得到半导体器件内宽度较大的导线的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101989594A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910056021.4 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈文磊 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：位于晶片测试区的半导体基底；测试图形，位于所述半导体基底上，所述测试图形包括窄测试导线、间隙带和宽测试导线，所述宽测试导线的轮廓为矩形，且所述间隙带沿所述矩形的长边方向贯通于所述矩形的两条短边之间，所述窄测试导线位于所述间隙带内，且沿所述矩形的短边向矩形中心方向，测试图形的厚度递减。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||