| 主权项 |
一种电容式超音波换能器，其包含：一挠性层；一第一导电层，其位于该挠性层上；一支撑框架，其位于该第一导电层上，该支撑框架包含一挠性材料；一薄膜，其位于该支撑框架上，由该支撑框架与该第一导电层相隔，该薄膜包含该挠形材料；一凹穴，其由该第一导电层、该支撑框架以及该薄膜所定义；以及一第二导电层，其位于该薄膜上。如申请专利范围第1项之电容式超音波换能器，其中该第一导电层包含铂与金之一。如申请专利范围第1项之电容式超音波换能器，其中该第二导电层包含铝。如申请专利范围第1项之电容式超音波换能器，其中该挠性层包含一聚合材料。如申请专利范围第1项之电容式超音波换能器，其中该支撑框架包含一聚合材料。如申请专利范围第5项之电容式超音波换能器，其中该支撑框架包含SU8－2002。如申请专利范围第1项之电容式超音波换能器，其中该第一导电层当成该电容式超音波换能器的一第一电极，并且该第二导电层当成该电容式超音波换能器的一第二电极。一种制作电容式超音波换能器之方法，该方法包含：提供一基板；在该基板上形成一挠性层；在该挠性层上形成一第一导电层；在该第一导电层上形成一图样化牺牲层；在该图样化牺牲层上形成一第一聚合物层；将该第一聚合物层制作图样来提供一图样化第一聚合物层，透过开口露出部分该图样化牺牲层；在该图样化第一聚合物层上形成一第二导电层；将该第二导电层制作图样来提供一图样化第二导电层；在该图样化第二导电层上形成一第二聚合物层；将该第二聚合物层制作图样，透过该开口露出部分该图样化牺牲层；以及透过该开口移除该图样化牺牲层。如申请专利范围第8项之方法，其另包含：形成一图样化聚合物层来填充该开口。如申请专利范围第8项之方法，其中在该第一导电层上形成一图样化牺牲层包含：在该第一导电层上提供一光罩层；将该光罩层制作图样来提供一具有开口并图样化光罩层；形成一牺牲层来填充该开口；以及移除该图样化光罩层。如申请专利范围第10项之方法，其中形成一牺牲层包含：电镀在该图样化光罩层上一金属层来填充该开口。如申请专利范围第8项之方法，其中该第一聚合物层与该第二聚合物层大体上包含该相同材料。如申请专利范围第8项之方法，其中该第一聚合物层与该第二聚合物层包含SU8－2002。一种形成电容式超音波换能器之方法，该方法包含：在一基板上形成一挠性层；在该挠性层上形成一第一导电层；在该第一导电层上形成一图样化金属层；在该图样化金属层和该第一导电层上形成一第一聚合物层；将该第一聚合物层制作图样来提供一图样化第一聚合物层，透过开口露出部分该图样化金属层；在该图样化第一聚合物层上形成一图样化第二导电层；在该图样化第二导电层上形成一图样化第二聚合物层并且在该图样化金属层上形成该图样化第一聚合物层；以及透过该开口移除该图样化金属层。如申请专利范围第14项之方法，其中在该基板上形成该挠性层包含在该基板上形成一聚合物层。如申请专利范围第14项之方法，其中在该挠性层上形成该第一导电层包含在该挠性层上形成一铂或一金之一。如申请专利范围第14项之方法，其中在该第一导电层上形成该图样化金属层另包含：在该第一导电层上提供一光罩层；将该光罩层制作图样来提供一具有开口并图样化光罩层；形成一金属层来填充该开口；以及移除该图样化光罩层。如申请专利范围第17项之方法，另包含电镀在该图样化光罩层上一金属层来填充该开口。如申请专利范围第17项之方法，另包含电镀在该图样化光罩层上一铜层来填充该开口。如申请专利范围第15项之方法，其中该图样化第一聚合物层与该图样化第二聚合物层大体上包含该相同材料。如申请专利范围第15项之方法，其中该图样化第一聚合物层与该图样化第二聚合物层包含SU8－2002。如申请专利范围第15项之方法，另包含形成一图样化第三聚合物层来填充该开口。 |
