| 发明名称 | 用于提供垂直晶片-到-晶片互连的金属填充的通孔结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于提供垂直晶片-到-晶片互连结构的通孔互连的制造方法，以及通过所述方法形成的垂直互连结构。本发明的方法仅使用金属柱用于垂直互连，由此金属柱不产生α辐射。本发明的方法包括插入步骤、加热步骤、减薄步骤以及背面处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101496138B | 申请公布日期 | 2011.03.16 |
| 申请号 | CN200780028236.4 | 申请日期 | 2007.07.24 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | H·B·波格;虞蓉卿 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种制造垂直晶片‑到‑晶片互连结构的方法，包括以下步骤：提供第一晶片(10)和第二晶片(20)，在第一半导体衬底(12)上的所述第一晶片(10)具有设置在其表面上的至少一个金属柱(18)，并且在第二半导体衬底(22)上的所述第二晶片(20)包括至少一个聚酰亚胺涂敷的通孔(24)；将所述第一晶片(10)的所述至少一个金属柱(18)插入到所述第二晶片(20)的所述至少一个聚酰亚胺涂敷的通孔(24)中以提供组合的结构；加热所述组合的结构以使相对的聚酰亚胺表面接合并开始流动以完全包围每个金属柱(18)；减薄所述第二晶片(20)以暴露位于所述至少一个聚酰亚胺涂敷的通孔(24)内的所述至少一个金属柱(18)的表面；以及在所述减薄的第二晶片的表面上形成构图的聚酰亚胺涂层和在所述至少一个金属柱(18)的所述暴露的表面上形成金属衬垫。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||