| 主权项 |
一种电浆反应室之可更换式上腔室部，于该电浆反应室中能够处理半导体基板，其中该可更换式上腔室部系一单块金属圆柱，其上表面系一上环状真空密封表面，用以对电浆反应室的一介电窗进行密封，且其下表面系一下环状真空密封表面，用以对该电浆反应室的一底部进行密封，该单块金属圆柱包含：于其下端为最宽的一锥形内表面；朝外水平延伸而远离该锥形内表面的一上凸缘；水平延伸而远离该锥形内表面的一下凸缘；一热质量部，位于该单块金属圆柱的一上部分，该热质量部系由在该锥形内表面与从该上凸缘垂直延伸的一外表面之间的该单块金属圆柱的一部分所界定，该热质量部有效提供该锥形内表面的方位角温度均匀性；及一热抗流器，位于该单块金属圆柱的一下部分并有效将横越该下环状真空密封表面的热传递降至最低，该热抗流器系由一薄金属部所界定，该薄金属部具有小于0.25寸的厚度并且延伸该锥形内表面之至少25%的长度。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该上与下环状真空密封表面于其内包含至少一环状沟槽，该环状沟槽用以容纳一O形环。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该上凸缘包含水平延伸至少1寸的一凹表面，以及该上环状真空密封表面水平延伸至少1寸，该外表面在该外表面的下端与该锥形内表面相隔至少1寸，以及该外表面在该外表面的上端与该锥形内表面相隔至少2寸。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，包含与一支承工具啮合的安装孔，该支承工具用以在该电浆反应室的一下腔室部上安装与移除该上腔室部。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该外表面为下凹并且包含用以容纳一对正销的一对正销孔，该对正销用以将一加热与冷却装置定位在该外表面上。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，包含延伸到该上凸缘内的至少一温度探针安装孔。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该锥形内表面包含用以将气体注入器安装于其内的复数个安装孔。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该上凸缘包含用以容纳一射频线圈安装装置的安装孔，该射频线圈安装装置用以将一射频线圈定位在该介电窗的上方。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该锥形内表面于其上包含一热喷涂氧化钇涂层。如申请专利范围第1项所述之电浆反应室之可更换式上腔室部，其中该单块金属圆柱为阳极氧化铝。 |
