可选择电性的有机半导体主动层及其运用

主权项

一种可选择电性的有机半导体主动层，包括：一电性选择层，系由一五环素(Pentacene)层与一聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol；PVA)层所堆叠而成；以及一闸介电层，形成于该聚乙烯醇层且相对于五环素层之另一侧。如申请专利范围第1项所述之有机半导体主动层，其中该五环素层与该聚乙烯醇层系相互接触。如申请专利范围第1项所述之有机半导体主动层，其中该闸介电层系选自于由一聚合物、一半导体氧化物、一半导体氮化物、以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第3项所述之有机半导体主动层，其中该聚合物系选自于由聚4－乙烯基酚(Poly－4－vinylphenol；PVP)、环氧基丙烯酸甲酯(Poly－Glycidyl Methacrylate；PGMA)以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第4项所述之有机半导体主动层，其中N型有机电晶体具有介于10 V至20 V的一饱合汲极电压(Saturation Drain Voltage)。如申请专利范围第4项所述之有机半导体主动层，其中N型有机电晶体具有介于一实质介于10－9至10－7安培的遗漏电流(Leakage Current)。如申请专利范围第4项所述之有机半导体主动层，其中N型有机电晶体具有介于一实质介于15V至40V的临界电压(Threshold Voltage)。如申请专利范围第3项所述之有机半导体主动层，更包括复数个无机奈米颗粒掺杂于该聚乙烯醇层。如申请专利范围第3项所述之有机半导体主动层，其中该半导体氧化物为二氧化矽(SiO2)。一种N型有机电晶体，包括：一闸极，位于一基板上；一闸介电层，位于该闸极之上，其中该闸介电层系由一聚4－乙烯基酚层构成；一电性选择层，位于该闸介电层上，由一聚乙烯醇层与一五环素层依序堆叠而成；以及一源极/汲极，位于该电性选择层上。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，其中该五环素层与该聚乙烯醇层系相互接触。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，其中该闸极系一氧化铟锡层。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，其中该闸极系以金(Au)金属层构成。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，其中该源极/汲极系一铝(Al)金属层。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，更包括一闸极修饰层，位于该闸极与该聚4－乙烯基酚层之间。如申请专利范围第15项所述之N型有机电晶体，其中该闸极修饰层系选自于由一聚合物、一半导体氧化物、一半导体氮化物、以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第16项所述之N型有机电晶体，其中该聚合物系选自于由聚4－乙烯基酚、环氧基丙烯酸甲酯以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第16项所述之N型有机电晶体，其中该基板与该闸极为矽基材。如申请专利范围第18项所述之N型有机电晶体，其中该基板可作为该闸极。如申请专利范围第18项所述之N型有机电晶体，其中该半导体氧化物为二氧化矽(SiO2)。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，具有介于10 V至20 V的一饱合汲极电压。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，介于一实质介于10－9至10－7安培的遗漏电流。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，具有介于一实质介于15V至40V的临界电压。如申请专利范围第10项所述之N型有机电晶体，更包括复数个无机奈米颗粒掺杂于该聚乙烯醇层。