Ein Bipolartransistor hat einen Kollektor mit einer darauf vorgesehenen Basisschicht und einer darin gebildeten flachen Grabenisolierungsstruktur. Eine Basis-Polyschicht ist auf der flachen Grabenisolierungsstruktur vorgesehen. Die flache Grabenisolierungsstruktur definiert einen Absatz, sodass eine Fläche des Kollektors über die an den Kollektor angrenzende flache Grabenisolierungsstruktur hinausragt.
申请公布号
DE102009039744(A1)
申请公布日期
2011.03.10
申请号
DE200910039744
申请日期
2009.09.02
申请人
TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人
SCHIMPF, KLAUS;SCHIEKOFER, MANFRED;WILLIS, CARL DAVID;WAITSCHULL, MICHAEL;PLOSS, WOLFGANG