发明名称 Bipolartransistor
摘要 Ein Bipolartransistor hat einen Kollektor mit einer darauf vorgesehenen Basisschicht und einer darin gebildeten flachen Grabenisolierungsstruktur. Eine Basis-Polyschicht ist auf der flachen Grabenisolierungsstruktur vorgesehen. Die flache Grabenisolierungsstruktur definiert einen Absatz, sodass eine Fläche des Kollektors über die an den Kollektor angrenzende flache Grabenisolierungsstruktur hinausragt.
申请公布号 DE102009039744(A1) 申请公布日期 2011.03.10
申请号 DE200910039744 申请日期 2009.09.02
申请人 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH 发明人 SCHIMPF, KLAUS;SCHIEKOFER, MANFRED;WILLIS, CARL DAVID;WAITSCHULL, MICHAEL;PLOSS, WOLFGANG
分类号 H01L29/732;H01L21/331;H01L21/762;H01L21/8249 主分类号 H01L29/732
代理机构 代理人
主权项
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